Модуль ИЛТ7 предназначен для управления транзисторами IGBT,MOSFET с частотой 0 до 200 кГц
Содержит встроенный DC/DC с формированием отрицательного напряжения на затворе
Сохраняет работоспособность при скорости нарастания напряжения между изолированными секциями до 50000 В/мкс;
|
|
Параметр |
Значение |
Напряжение питания входной секции, В |
10-15 |
Ток потребления при нагрузке, мА
(Сн=10 нФ, tи=20мкс , F=25кГц, Ucc =12В) |
80 |
Напряжение изоляции, кВ |
4 |
Выходной ток (ток заряда ёмкости) , А |
2 |
Частота переключения, кГц |
0-200 |
Коэффициент заполнения, % |
100 |
Выходное напряжение при логической 1и(0) не менее , В |
12(-2) |
Рабочий темпиратурный диаппазон, °С |
-40+100 |
|